第45章 前往半导体研究室开始研制硅单晶（第5页）

江阳也没有耽搁，直接进入正题。

……

会议室内。

半导体研究室的所有研究人员，全部到场。

虽然熬了一夜。

但每个人都精神斗擞，眼中满是期待。

江阳站在台上，道：

“大家已经看过高纯石英坩埚和耐高温单晶炉的方案。”

“这里我就不重复说了。”

“接下来，我想说一说现有的工艺上的问题，多晶硅气泡、晶界于错位……”

……

在高纯度硅原料的制备过程中。

工艺缺陷，是制约材料纯度和单晶质量的关键。

它包括化学杂质污染，以及物理结构缺陷。

要解决的话并不复杂。

比如利用定向凝固化，将多晶硅锭缓慢熔化。

再利用杂质分凝效应，使杂质富集在尾部位置，切除后就能提升10倍的纯度。

虽说会导致硅材料损耗率提高。

但是现有条件下，能够让他们提炼出更高纯度硅单晶的最佳方案。

当然，江阳没有将方案完全说出来。

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