第203章 设备清单

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接下来是掺杂，"

他的笔继续在纸上滑动，"

n型半导体需要磷、砷或锑作为掺杂剂，p型则需要硼或铝。

掺杂浓度的控制是关键，太高或太低都会影响性能。

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林舟画出了一个扩散炉的设计图，标注了温度控制点、气流系统和样品架的位置。

这种设备用于在高温下将掺杂剂扩散到硅片中，是制造半导体器件的核心设备之一。

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光刻技术是另一个关键，"

他又画出一套光刻设备的简图，"

需要高精度的掩模版、感光胶和准直光源。

在现有条件下，可以先从低精度开始，逐步提高。

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林舟现在掌握的光刻技术比那个年代先进得多。

他知道如何制作精度达到微米级的电路图案，而当时主流水平还停留在几十微米。

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蚀刻、氧化、金属化"

他一一列出集成电路制造的各个步骤，为每一步都设计了简化版的设备和工艺流程，使之能在有限条件下实现。

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最后是封装测试，"

林舟画出了一个简易的封装线和测试台，"

这部分相对简单，但同样重要。

一个设计良好的电路，如果封装不当或测试不严，也会前功尽弃。

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写完这些，林舟开始思考配套设备的问题。

要制造半导体器件，需要一系列专用设备，如扩散炉、光刻机、蚀刻槽、键合机等，这些在当时都是高度专业化的设备，不是随便一个工厂就能生产的。

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